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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優
在現代工業與電力電子技術飛速發展的今天,可控硅模塊作為一種關鍵的功率半導體器件集成產品,正以其卓越的性能和廣泛的應用,成為推動行業進步的重要力量。本文將圍繞可控硅模塊的核心特點,深入探討其在多個領域的實際用途,以及它如何助力電力電子系統實現高效、可靠的電能轉換與控制。可控硅模塊是一種將多個可控硅芯片及相關電路集成于一體的模塊化產品。它具備強大的電流和電壓承載能力,能夠輕松應對高功率環境下的電能轉換
在現代工業控制和能源轉換領域,功率半導體器件扮演著至關重要的角色。其中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,結合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降優點,廣泛應用于變頻器、電力系統、工業控制等領域。而西門康IGBT驅動作為**IGBT可靠運行的關鍵組件,其工作特性直接關系到整個系統的性能與穩定性。核心技術特點西門康IGBT驅動具備精確的驅動能力,能夠
在現代工業與科技應用中,電力電子技術扮演著至關重要的角色。其中,可控硅模塊作為一種高效的功率半導體集成器件,憑借其出色的性能和可靠性,成為眾多行業的關鍵組成部分。本文將深入探討可控硅模塊的工作原理,幫助讀者更好地理解其在電力控制領域的應用價值。可控硅模塊是一種將多個可控硅芯片及相關電路集成于一體的模塊化產品。它的核心在于可控硅,也稱為晶閘管,是一種具有三個PN結的四層半導體器件。可控硅模塊通常包括
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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電 話: 0512-50111678
手 機: 18962647678
微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
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