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詞條說明
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí),由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時(shí)應(yīng)該降等使用。
1、特點(diǎn)不同發(fā)光二極管相較于普通二極管具有體積小、色彩艷麗、耗電低、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度快、耐振動(dòng)和使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)。2、用途不同發(fā)光二極管:發(fā)光二極管在現(xiàn)代社會具有廣泛的用途,如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等。普通二極管:主要用于家用電器、工業(yè)控制電路等。3、作用特點(diǎn)不同發(fā)光二極管:通過電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光,它在照明領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,發(fā)光二極管可高效地將電能轉(zhuǎn)化為光能。普通二極管:利用二極管和電阻
1、根據(jù)線路要求和安裝條件選擇熔斷器的型號。容量小的電路選擇半封閉式或無填料封閉式;短路電流大的選擇有填料封閉式;半導(dǎo)體元件保護(hù)選擇快速熔斷器。2、根據(jù)負(fù)載特性選擇熔斷器的額定電流。3、選擇各級熔體需相互配合,后一級要比**級小,總閘和各分支線路上電流不一樣,選擇熔絲也不一樣。4、根據(jù)線路電壓選擇熔斷器的額定電壓。5、交流異步電機(jī)保護(hù)熔體電流不能選擇太小(建議2~2.5倍電機(jī)的額定電流)。如選擇過
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請先不要接上模
公司名: 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 蔣艷
電 話: 021-51096998
手 機(jī): 18221423398
微 信: 18221423398
地 址: 上海浦東自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號1幢3層
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網(wǎng) 址: yygydn123.cn.b2b168.com
功率晶閘管半導(dǎo)體IGBT模塊|一件也是批發(fā)價(jià)|FZ400R17KE3 400A
?IGBT-Module|現(xiàn)貨供應(yīng)|FZ1200R16KF4 1200A
Infineon英飛凌IGBT模塊|一手貨源|FZ1800R16KF4 1800A
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路|現(xiàn)貨供應(yīng)|FZ1800R17KE3_B2 1800A
英飛凌igbt單管|貨源穩(wěn)定|FZ800R16KF4 800A
大功率igbt高壓可控硅|原盒原包|FZ2400R17KF6C_B2 2400A
功率晶閘管半導(dǎo)體IGBT模塊|一手貨源|FZ1600R17KE3_B2 1600A
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