詳解磁控濺射技術(shù)

時(shí)間：2025-05-21作者：那諾-馬斯特中國(guó)有限公司瀏覽：276

那諾-馬斯特中國(guó)有限公司專注于磁控濺射系統(tǒng),刻蝕系統(tǒng),清洗去膠系統(tǒng)等

• 詞條

  詞條說明

• 福州大學(xué)離子束刻蝕機(jī)順利驗(yàn)收

  烈日炎炎，熱情滿心間！后疫情時(shí)代，NANO-MASTER工程師步履不停，一站接一站為客戶提供設(shè)備安裝調(diào)試服務(wù)。首站福州大學(xué)，那諾-馬斯特工程師已順利安裝驗(yàn)收NIE-3500型離子束刻蝕機(jī)！性能配置：離子束刻蝕機(jī)用于刻蝕金屬和介質(zhì)，z大可支持6”晶圓。配套美國(guó)考夫曼-羅賓遜 KDC160離子槍，650mA，100-1200V。刻蝕速率：~250A/min對(duì)Au；刻蝕均勻度：對(duì)4”片，片內(nèi)均勻性**±

• 詳解磁控濺射技術(shù)

  一、磁控濺射的工作原理：磁控濺射是一種常用的物理氣相沉積（PVD）的方法，具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好，成分接近靶材成分等眾多優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射的工作原理是：在高真空的條件下充入適量的氬氣，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽極（鍍膜室壁） 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使氬氣發(fā)生電離（在高壓作用下Ar

• *遠(yuǎn)程微波PECVD系統(tǒng)

  Nano-Master的遠(yuǎn)程微波等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)應(yīng)用范圍廣泛，包含：基片或粉體的等離子誘導(dǎo)表面改性等離子清洗粉體或顆粒表面等離子聚合SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜CNT和石墨烯的選擇性生長(zhǎng)單晶或多晶金剛石生長(zhǎng)???微波模塊：NANO-MASTER高質(zhì)量**命遠(yuǎn)程微波源，頻率為2.45GH，微波**功率可以自主調(diào)節(jié)，微波反射功率可通過調(diào)節(jié)降

• 恭祝ZN硅業(yè)NPE3500型PECVD順利驗(yàn)收

  近日，NANO-MASTER工程師至浙江ZN硅業(yè)有限公司，順利安裝驗(yàn)收NPE-3500型PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備！NANO-MASTER的PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2、Si3N4、CNT、DLC和SiC等薄膜。可應(yīng)用于等離子誘導(dǎo)表面改性、等離子清洗、等離子聚合等。根據(jù)不同應(yīng)用，可選用RF、HCP、ICP或MW微波等多種規(guī)格的離子源。標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái)尺寸有6”和8”可選，較高可定制到1