三星半導體穩居龍頭海力士全力沖刺縮小差距

時間：2025-08-26

作者：深圳市凱高達科技有限公司

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日本京都大學工學院成功開發出可耐2萬伏超高壓的半導體器件
日本京都大學工學院須田淳準教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅（SiC）材料成功開發出可耐2萬伏**高壓的半導體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發出可耐2萬伏**高壓的半導體二極管器件，隨后又成功對**高壓環境下構成功率變換電路的開關器件和整流器件實施了技術驗證。研究組在高壓環境下通過采用避免電場集中的結構設計和表面保護技術，利用碳化硅（SiC）半導體材料實現了可
總體消費電子產品制造營業收入最終在2015年達到頂點
據IHS iSuppli公司的消費平臺市場追蹤報告，盡管未來兩年工廠增加平板電視和游戲機等消費電子產品的產量，但由于產品價格持續下滑，將難以阻止總體消費電子產品制造營業收入較終在2015年達到**點。雖然未來三年工廠產量與產業銷量將穩步攀升，但2014-2015年消費電子產業的營業收入增長將明顯放緩。2015年消費電子營業收入將達到2945億美元，僅比2014年的預期水平2942億美元微增0.1%
廣東肖特基二極管性能解析與應用實踐
肖特基二極管的技術特性與優勢在當今電子元器件領域，肖特基二極管以其**的性能特點成為整流二極管家族中的重要成員。與普通PN結整流二極管相比，肖特基二極管采用金屬-半導體接觸原理，具有較低的導通壓降和較快的開關速度，這一特性使其在高頻開關電源、逆變器等應用中展現出無可比擬的優勢。肖特基二極管較顯著的特點是其正向壓降通常僅為0.3-0.5V，遠**普通硅二極管的0.7V左右。這一特性意味著在相同工作
肇慶肖特基二極管產品介紹
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