全球半導體產業過去百家爭鳴，但未來將進入三強鼎立的新時代

時間：2025-05-09

作者：深圳市凱高達科技有限公司

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單向可控硅BT169D性能解析與應用實踐
###?單向可控硅BT169D性能解析與應用實踐####?性能特征BT169D作為平面型塑封單向可控硅，其技術參數展現出的工程定位。在25℃環境溫度下，器件維持400V重復峰值電壓（VRRM）與4A通態平均電流（IT(AV)）的平衡設計，浪涌電流承受能力達到40A（50Hz/10ms）。觸發特性方面，門觸發電流（IGT）典型值0.2mA，觸發電壓（VGT）不過1.5V，適用于低
可用石墨烯實現大功率半導體設備大幅降溫
據物理學家組織網5月9日(北京時間)報道，美國加州大學河濱分校伯恩斯工程學院的研究人員開發出一種新技術，可借助石墨烯實現大功率半導體設備的大幅降溫，解決在交通信號燈和電動汽車中使用的半導體材料散熱問題。相關研究報告5月8日發表在《自然·通訊》雜志上。自上世紀90年代以來，半導體材料氮化鎵(GaN)就被用于強光的制造，并因為高效和可耐高電壓工作而被用于無線設備中。然而就像所有大功率操作設備一樣，氮
臺積電開始獨立發展高階封測技術以鞏固晶圓代工龍頭地位
面對三星、英特爾的挑戰，臺積電已開始著手上下游整合，以維持競爭優勢，改變閩臺半導體業多年來的垂直分工模式，率先質變。一方面快速決定投資設備廠ASML，重金砸下新臺幣400億元，良好**跨入18寸晶圓的門票，給競爭對手壓力，另一方面，為了系統單晶片趨勢，也開始向下游封測業布局，由該公司共同營運長蔣尚義*的研發團隊，現已開始獨立發展高階封測技術，目標就是鎖定3D IC高階封測市場，以鞏固臺積電**地
三星半導體穩居龍頭海力士全力沖刺縮小差距
根據TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查，DRAM廠積極研發，并提高行動式內存產能，不僅可望拉抬整體獲利表現，亦可降低因標準型DRAM生產造成的虧損。**季行動式內存平均銷售單價滑落約10~15%，合約價降幅約10%，但由于出貨位元成長約達20%，整體行動式內存營收較去年*四季成長約37%。TrendForce表示，除三星電子市占大幅擴大之外，其他廠家均受到降價影響而壓縮整