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詞條說明
電路設計是傳感器性能是否優(yōu)越的關(guān)鍵因素,由于傳感器輸出端都是很微小的信號,如果因為噪聲導致有用的信號被淹沒,那就得不償失了,所以加強傳感器電路的抗干擾設計尤為重要。在這之前,我們**了解傳感器電路噪聲的來源,以便找出較好的方法來降低噪聲。總的來說,傳感器電路噪聲主要有一下七種: 低頻噪聲 低頻噪聲主要是由于內(nèi)部的導電微粒不連續(xù)造成的。特別是碳膜電阻,其碳質(zhì)材料內(nèi)部存在許多微小顆粒,顆粒之間是不連續(xù)
多數(shù)企業(yè)所開發(fā)的MEMS微麥克風主要分為兩種形態(tài):**種是利用**的MEMS代工廠制造出MEMS IC,再加上一個ASIC放大器,將MEMS IC及ASIC IC用SIP封裝方式封裝成MEMS麥克風芯片。這一部分在IC封裝過程中**保護振膜不被破壞,其封裝成本相對較高;另一種是先利用CMOS晶圓廠制造出ASIC部分,再利用后工藝來形成MEMS的結(jié)構(gòu)部分。其MEMS工藝技術(shù)目前似乎還無法在標準的CM
硅麥靈敏度是指硅麥在一定強度的聲音作用下輸出電信號的大小。靈敏度高,表示硅麥的聲一電轉(zhuǎn)換**,對微弱的聲音信號反應靈敏。技術(shù)上常用在0.1pa[μBar(微巴)]聲壓作用下硅麥能輸出多高的電壓來表示靈敏度。如某硅麥的靈敏度為1mV/μBar,即表示該硅麥在1μBar聲壓作用下輸出的信號電壓為1mV。習慣上也常用DB來表示硅麥的靈敏度。一般靈敏度有-48dB~-66dB(國內(nèi)標準);**標準的-3
《新形勢下MEMS產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)和技術(shù)發(fā)展趨勢》研討會在蘇州納米城圓滿落幕
2015年,在《地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》等地區(qū)政策的推動下,千億級地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金撬動作用逐漸顯現(xiàn),“中國制造2025”、“互聯(lián)網(wǎng)+”等地區(qū)戰(zhàn)略的陸續(xù)實施也將有力支撐國內(nèi)產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)跨越發(fā)展,在《中國制造2025》**領(lǐng)域技術(shù)圖,其中六大領(lǐng)域都明確了傳感器的重要意義和戰(zhàn)略地位,MEMS產(chǎn)業(yè)作為其中具有戰(zhàn)略地位的一環(huán),在產(chǎn)業(yè)中地位凸顯。展望未來,微型化、智能化、多功能化和網(wǎng)絡化傳感器將
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