FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N溝道增強型功率MOSFET

時間：2016-08-23作者：深圳市雅迪斯電子有限公司瀏覽：108

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  詞條說明

• HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

  HGTG5N120BND產品概述 HGTG5N120BND 基于非穿通（NPT）IGBT 設計。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等，而低傳導損耗又至關重要的高壓開關應用，如：UPS、光伏逆變器、電機控制以及電源。 HGTG5N120BND產品特性 10A, 1200V, TC = 110°C 低飽和電壓：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A 典型下降時間。. . . .

• IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET

  IRFP460APBF型號 IRFP460APBF品牌 IRFP460APBF封裝 IRFP460APBF批號 IRFP460APBF備注 IRFP460APBF VISHAY TO-247 2016+ 全新原裝現貨 IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET IRFP460APBF Vishay N溝道 MOSFET 晶體管 IRFP460APBF,

• BU406/FAIRCHILD仙童/TO-220/NPN晶體管

  BU406產品概述 BU406 是一款400V 7A硅外延平面NPN晶體管。 BU406 設計用于高速開關應用，采用業界標準TO-220封裝，提供設計靈活性以及出色的功耗性能。 BU406產品特性 高電壓能力 高開關速度 低飽和電壓 BU406產品應用 電視和CRT的水平偏轉 FQD3P50 仙童 Fairchild TO-252 FQD4P40 仙童 Fairchild TO-252 FCD3

• STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管

  STW3N150 型號 STW3N150 品牌 STW3N150 封裝 STW3N150 批號 STW3N150 備注 STW3N150 ST意法 TO-247 2016+ 原裝**現貨 STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管 STW3N150 N溝道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3針 TO-247封裝 STW3N150