詞條
詞條說(shuō)明
開(kāi)關(guān)電源電源質(zhì)量測(cè)試點(diǎn)示意圖
開(kāi)關(guān)電源電源質(zhì)量測(cè)試點(diǎn)示意圖。電源質(zhì)量測(cè)試**使用同一時(shí)刻的輸入VAC和IAC讀數(shù) 電源質(zhì)量測(cè)量包括:有功功率;視在功率或無(wú)功功率;功率因數(shù);波峰因數(shù);根據(jù)E**1000-3-2標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行的電流諧波測(cè)量;總諧波失真(THD)。 應(yīng)用具有運(yùn)行軟件包(如TDSPWR3)的數(shù)字示波器并行電源質(zhì)量測(cè)量。 運(yùn)行軟件包(如TDSPWR3)的數(shù)字示波器,如TDS5000B系列是替代傳統(tǒng)的功率表和諧波分析儀進(jìn)行電源
焦點(diǎn)一:功率半導(dǎo)體器件性能 1998年,Infineon公司推出冷MOS管,它采用“**級(jí)結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu),故又稱**結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V~800V,通態(tài)電阻幾乎降低了一個(gè)數(shù)量級(jí),仍保持開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn),是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體器件。 IGBT剛出現(xiàn)時(shí),電壓、電流額定值只有600V、2**。很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi),耐壓水平限于1200V~1700V,經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間
一、電阻器的檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn) 1.固定電阻器的檢測(cè)。 A、將兩表筆(不分正負(fù))分別與電阻的兩端引腳相接即可測(cè)出實(shí)際電阻值。為了提高測(cè)量精度,應(yīng)根據(jù)被測(cè)電阻標(biāo)稱值的大小來(lái)選擇量程。由于歐姆擋刻度的非線性關(guān)系,它的中間一段分度較為精細(xì),因此應(yīng)使指針指示值盡可能落到刻度的中段位置,即全刻度起始的20%~80%弧度范圍內(nèi),以使測(cè)量較準(zhǔn)確。根據(jù)電阻誤差等級(jí)不同。讀數(shù)與標(biāo)稱阻值之間分別允許有±5%、±10%或±
變頻器如何直接影響系統(tǒng)動(dòng)態(tài)特性
?變頻器系統(tǒng)低頻特性改善措施(1) 1、啟動(dòng)轉(zhuǎn)距的提升 由于系統(tǒng)在低頻時(shí)R1上的壓降影響,使系統(tǒng)的啟動(dòng)轉(zhuǎn)距隨W1下降而減小,為此變頻器設(shè)有轉(zhuǎn)距提升功能,該功能可以調(diào)整低頻區(qū)域電動(dòng)機(jī)的力矩,使之與負(fù)荷配合,增大啟動(dòng)轉(zhuǎn)距。可選擇自動(dòng)轉(zhuǎn)距提升和手動(dòng)轉(zhuǎn)距提升模式,其原理是提升定子電壓也就相應(yīng)提高了啟動(dòng)轉(zhuǎn)距,但提升電壓設(shè)置過(guò)高,將導(dǎo)致電流過(guò)大引起電動(dòng)機(jī)飽和、過(guò)熱或過(guò)電流跳閘。如1336PLUS系列
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