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??? 雪崩二極管是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。 ??? 雪崩擊穿是在電場作用下,載流子能量增大,不斷與晶體原子相碰,使共價鍵中的電子激發(fā)形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電子-空穴對,這就是倍增效應。1生2,2生4,像雪崩一樣增加載流子。 齊納擊穿完全不同,在高的反
可控硅元件—可控硅元件的結構 l?一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以**上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管較初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。 l?在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)較為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀
固態(tài)繼電器或模塊的發(fā)熱量主要跟所驅動的負載的實際電流有關,而與其本身的電流等級大小關系不大。??????發(fā)熱量的計算公式(兩種): 1:單相固態(tài)繼電器、單相交流調壓模塊、R系列固體調壓器 發(fā)熱量=實際負載電流(安培)×1.5瓦/安培 對三相固態(tài)繼電器、三相交流調壓模塊,其實際負載電流應為三相實際負載電流之和。 2:對于單相全控整流模塊
? ? ???晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,簡稱可控硅。1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上**特種晶閘管產品,并于1958年使其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個較:陽極,陰極和門較;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門較有觸發(fā)電流。其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,光控晶閘管等。它是一種
公司名: 武漢武整機電有限公司
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電 話: 027-85667758
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地 址: 湖北武漢江夏區(qū)湖北省武漢市江夏區(qū)東湖**開發(fā)區(qū)光谷二路與高新五路交匯處北首地塊
郵 編: 430014
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