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MOS管并聯均流技術分析 IGBT管并聯均流技術分析 BJT?管并聯均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯mos管的問題。并聯mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數的篩選。 首先我們測試從某網店購買的IRF4
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正負干擾抵消電光調Q干擾消除方法分析 高壓窄脈沖干擾消除方法分析*二版 電光調Q是一種高壓窄脈沖,具有高電壓、大電流、寬頻帶范圍強干擾的特性,電子設備在如此干擾的環境中,往往出現死機、誤動作、花屏、甚至燒損等故障,這類故障的形成原因復雜,使用傳統的處理故障手段力所不及。一般情況下,電光調Q形成單向高壓脈沖,雖然采用濾波,屏蔽等手段,能夠降低干擾到原來的10%;但是任然不能滿足精密測試的要求;較高等
公司名: 長春艾克思科技有限責任公司
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