PN8680M低功耗電源芯片

時間：2020-01-05作者：深圳市驪微電子科技有限公司瀏覽：137

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  詞條說明

• PN8161 18W PD充電器芯片

  PN8161概述：PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了**低的待機功耗、全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和S

• PN8149隔離式次級反饋電源適配器芯片

  PN8149**低待機功耗交直流轉(zhuǎn)換芯片, 非常適合六級能效Level6、Eur2.0能源之星應(yīng)用。PN8147,PN8149部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET，**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括周期式過流保護(外部可調(diào)）、過載保護、過壓保護、CS短路保護、軟啟動功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode

• 開關(guān)電源ic選型5v開關(guān)電源芯片

  驪微電子在5V開關(guān)電源ic方案上推薦典型的**低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊反饋交直流轉(zhuǎn)換器制IC，例如：開關(guān)電源芯片PN8368。 ? PN8368集成**低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8368為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。

• PN8306 5V同步整流芯片ic

  PN8306產(chǎn)品描述：PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管。PN8306內(nèi)置電壓降較低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。PN8306處于開關(guān)工作模式，只適用于DCM和QR工作模式的開關(guān)電源系統(tǒng)。當(dāng)芯片檢測到V SW <-400mV，控制器驅(qū)動功率MOSFET開啟；當(dāng)芯片檢測到功率MOSFET流過的