閩臺STANSON廠家STC4614 規格參數NP40V 10A

時間：2020-01-05

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

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STC4301D原廠NP40V 23A可替代AOD609、AOD606、FKD4903
STANSON 閩臺司坦森原廠直銷長期庫存充足，價格優美，質量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC4301d是采用高電池密度的n&p溝道增強模式電場效應晶體管dmos戰壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態阻力降到低并提供優越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其
MOS管失效原因是什么？
MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面，排名**的是消費類電子電源適配器產
臺灣STANSON廠家STC4614 規格參數NP40V 10A
描述STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力并提供優越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側開關，低的在線功率損耗和電阻瞬態是必要的STC4614 參數：N溝道40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）@ VGS = 10V40V／6A，RDS
臺產MOS管 STN4438 參數N60V 8.5A用于風扇原廠交貨快
STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用，如電源管理和其他高側開關的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A，RDS（ON）＝3