stasnon 原廠STC4606規(guī)格參數(shù)NP30V 6.5A大量現(xiàn)貨

時間：2020-01-05作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：208

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  詞條說明

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  STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N溝道增強型功率場效應晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用，如電源管理和其他高側開關的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A，RDS（ON）＝3

• STANSON原廠STC4614 STP413D STN4828 STP4435 當天交貨庫存充足

• STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU

  STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足，價格優(yōu)美，質量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC6301d是采用高電池密度的n&p通道增強模式電場效應晶體管mos戰(zhàn)壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到較低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其

• STANSON 貼片MOS STN442D 規(guī)格書N60V 37A 應用于按摩椅主板 原廠直銷交貨快

  STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用溝槽技術，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60V / 20.0a，RDS（上）= 24mΩ（典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a，RDS（上）= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度電池設計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力TO-2