STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書(shū) 中文資料PDF

時(shí)間：2020-03-24作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：160

司坦森集成電路（深圳）有限公司專(zhuān)注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 司坦森/STANSON 細(xì)說(shuō)MOS管

  一、什么是MOS管？MOS管全稱(chēng)金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱(chēng)金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時(shí)候又稱(chēng)為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。二、MOS管的構(gòu)造。MOS管這個(gè)器件有兩個(gè)電極，分別是漏較D和源較S，無(wú)論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)

• STC4301D原廠NP40V 23A可替代AOD609、AOD606、FKD4903

  STANSON 閩臺(tái)司坦森原廠直銷(xiāo) 長(zhǎng)期庫(kù)存充足，價(jià)格優(yōu)美，質(zhì)量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說(shuō)明STC4301d是采用高電池密度的n&p溝道增強(qiáng)模式電場(chǎng)效應(yīng)晶體管dmos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過(guò)程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其

• STC6301D

  STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強(qiáng)模式電場(chǎng)效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過(guò)程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其中高側(cè)開(kāi)關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v

• 臺(tái)灣STANSON 專(zhuān)注MOS 13年STC4614 STP413D 原廠交貨快

  STC4614可替代其它：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過(guò)程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本