電容的主要特性參數(shù)

時間：2020-05-24作者：深圳市貝皓睿科技有限公司瀏覽：149

深圳市貝皓睿科技有限公司專注于合金電阻,0.5%精密電阻,0.1%精密電阻,高精密電阻,薄膜電阻,低溫漂電阻等

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  詞條說明

• 薄膜電阻介紹

  薄膜電阻器是用類蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成，一般這類電阻常用的絕緣材料是陶瓷基板。近年來，隨著電子信息技術(shù)的快速發(fā)展，A/D、D/A 轉(zhuǎn)換電路及其它線性或非線性電路的發(fā)展日新月異，其中以薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)為核心的高精度運(yùn)算放大器和高精度的 A/D、D/A 轉(zhuǎn)換電路是必不可少的。為了提高ADC和 DAC 的精度和分辨率，薄膜電阻的性能也必須有相應(yīng)的提高。DAC 和ADC 精度和分辨率

• 精密電阻有哪些參數(shù)條件？

  一、 精密電阻主要的判定條件是電阻的公差和溫度系數(shù)。一般高精密電阻的公差應(yīng)該小于1%，比如0.5%，0.1%，0.01% 這類，或者溫度系數(shù)較低。25PPM,10PPM,5PPM之類。另外，阻值小的，如10毫歐這類也屬于精密電阻。二、 貼片電阻的最高精度是捷比信貼片電阻，0.01%精度，即萬分之一精度。深圳市貝皓?？萍加邢薰?，是一家專業(yè)從事高新技術(shù)電子元器件、設(shè)備研究開發(fā)和代理銷售型企業(yè)。公司地

• 薄膜電阻材料

  理論基礎(chǔ)薄膜的形成實(shí)質(zhì)上是氣－固轉(zhuǎn)化、晶體生成的過程，它大致可以分為下面幾個主要步驟：原子或分子撞擊到固體的表面；它們被固體表面的原子所吸附或直接反射回空間；被吸附的粒子在固體表面發(fā)生遷移或擴(kuò)散而移動到表面上合適的格點(diǎn)位置并進(jìn)入晶格。這些過程以及它們之間的相互關(guān)系決定了薄膜的形成過程和薄膜的性質(zhì)。 [1]?組織結(jié)構(gòu)一般來講，電阻薄膜中最多含有三類相位成分：絕緣相、半導(dǎo)體相和導(dǎo)電相。在現(xiàn)代

• 電容的主要特性參數(shù)

  （1）?容量與誤差：實(shí)際電容量和標(biāo)稱電容量允許的最大偏差范圍。一般使用的容量誤差有：J級±5%，K級±10%，M級±20%。 精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。 常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D級—±0.5%；F級—±1%；G級—±2%；J級—±5%；K級—±10%；M級—±20%。 （2）?額定工作電壓：電容