可控硅壞的原因

時(shí)間：2025-02-15作者：上海聚肯電子科技有限公司瀏覽：153

上海聚肯電子科技有限公司專(zhuān)注于可控硅,晶閘管,平板可控硅,ABB可控硅,驅(qū)動(dòng)板,二極管,整流管,WESTCODE可控硅,WESTCODE晶閘管,DYNEX可控硅,DYNEX晶閘管,中車(chē)可控硅,KP可控硅,KP晶閘管,KK可控硅,KK晶閘管,ZP二極管等, 歡迎致電 15000358998

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 熔斷器的主要作用是什么？

  ? ? ? 熔斷器俗稱(chēng)保險(xiǎn)絲或保險(xiǎn)管。早的保險(xiǎn)絲于一百多年前由愛(ài)迪生發(fā)明，由于當(dāng)時(shí)的工業(yè)技術(shù)不發(fā)達(dá)白熾燈很貴重，所以，初是將它用保險(xiǎn)絲來(lái)保護(hù)價(jià)格昂貴的白熾燈的。熔斷器保護(hù)電子設(shè)備不受過(guò)電流的傷害，也可避免電子設(shè)備因內(nèi)部故障所引起的嚴(yán)重傷害。因此，每個(gè)熔斷器上皆有額定規(guī)格，當(dāng)電流**過(guò)額定規(guī)格時(shí)保險(xiǎn)絲將會(huì)熔斷。當(dāng)介于常規(guī)不熔斷電流與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰?的電流)之間

• 銷(xiāo)售中車(chē)可控硅KP4 900-36 KP4 900-38南車(chē)晶閘管

  銷(xiāo)售中車(chē)可控硅KP4 900-36 KP4 900-38南車(chē)晶閘管 平板可控硅晶閘管功率模塊KP9 KP8 KP7 KP6 KP5 KP4系列 KP4 900-36 KP4 900-38 KP4 900-40 KP4 900-42 KP4 1200-24 KP4 1200-26 KP4 1200-28 KP4 1200-30 KP4 1200-32 KP4 1200-34 KP4 1400-20

• 可控硅壞的原因

  1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制較上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。

• 如何保護(hù)可控硅不被損壞

  1、過(guò)電壓保護(hù)晶閘管對(duì)過(guò)電壓很敏感，當(dāng)正向電壓**過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓**過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及抑制過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起