供應 AT24C02D-MAHM-T 絲印02D QFN8 存儲芯片全新原裝

時間：2021-11-15

作者：深圳市云創達科技有限公司

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原裝 STM32F030CCT6 STM32F030RCT6 LQFP-48/64 32位微控制器-MCU
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了高性能ARM?Cortex?-M032位RISC核心，以48MHz頻率運行，高速嵌入式存儲器(高達256千字節的閃存和高達32千字節的SRAM)，以及廣泛的增強外設和I/O。所有設備都提供標準的通信接口(較多2個I2C、較多2個spi和6個USARTs)、1個12位ADC、7個通用16位計時器和一個高級控制PWM計時器。 STM32F030x4
供應 REF5030AIDR SOIC-8 電壓基準芯片IC
描述；REF50xx是一個低噪聲、低漂移、高性能的產品系列高精度電壓基準。這些參考資料既能下沉又能尋源，且對于線路和負載變化非常穩健。出色的溫度漂移（3ppm/°C）和高準確度（0.05%）通過使用專有技術實現設計技巧。這些功能結合了非常低的噪音使REF50xx系列非常適合使用在高精度數據采集系統中。每個參考電壓在兩種標準模式下都可用和高級版本。它們在MSOP-8中提供（2007年*3季度提供）和
供應 MBR120VLSFT1G 封裝SOD-123F 肖特基二極管全新原裝
? ? ? ? ?該器件采用肖特基勢壘原理與一個大面積金屬?到?硅功率二極管。理想地適合于低電壓，高頻整流或作為自由旋轉和極性保護二極管在表面安裝應用中，緊湊的尺寸和重量是至關重要的系統。? ? ? ? ?這個包還提供了一個易于工作的替代無鉛34包風格。由于它的小尺寸，它是理想的用于便攜式和電池供電
供應原裝正品 STP24N60DM2 封裝TO-220 600V24A MOS場效應管
描述這些FDmeshII+?低Qg功率MOSFETs與固有的快速恢復體二極管生產使用新一代的MDmesh?技術：MDmeshII+?低Qg。這些革命性的電力模塊將垂直結構與公司的帶布局聯系在一起，產生世界上較低電阻和門電荷之一。因此，它們適用于要求較高的高效轉換器，以及理想的橋接拓撲和ZVS相移轉換器。 n-通道600V，0.175Ωtyp.，18AFDmeshII+?低Qg功率MOSFETs在