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國芯思辰|基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D10065Q用于升壓電源模塊
在升壓電源模塊中,會用到肖特基二極管,但常規硅二極管一般耐壓低、損耗大。要想實現較高的380V電壓,硅二極管就不是很合適了。本文主要提到國產廠家基本半導體的碳化硅肖特基二極管B2D10065Q。升壓原理的基本電路如下圖所示,肖特基二極管應用位置已標注:B2D10065Q應用于28V升壓到380V的升壓電路中的主要特點如下:(1)耐壓高B2D10065Q的反向耐壓650V,在380V的直流升壓系統中
國芯思辰|國產32位MCU TM32F103K7用于解毒機,可替換STM32F103C8T6?
某項目的解毒機設計為8按鍵對應8種消毒功能,兩個數碼管對應時間和毒素去除率,啟動、結束時蜂鳴器響警示聲,wifi通信由手機app控制。該項目主控MCU之前使用ST的STM32F103C8T6,主要做控制、傳感器的采集處理、AD轉換,檢測與處理水的渾濁度。本文介紹國產海速芯32位MCU TM32F103K7在解毒機上的應用,該MCU可P2P替換ST的STM32F103C8T6。海速芯TM32F103
國芯思辰|基本半導體碳化硅MOS B1M080120HK助力光伏逆變器升壓電路設計
如下圖為典型的光伏逆變器框圖。該光伏逆變器設計主要由BOOST電路和逆變電路組成。BOOST電路的功率器件通常選擇IGBT單管和SiC二極管搭配使用。為了提高功率密度,需要BOOST開關頻率越高,因為這樣可以降低BOOST電感體積,提高功率密度,由于IGBT的開關頻率受制于開關速度和拖尾電流等因素,其開關頻率一般不**過20kHz,如果開關頻率過高的話,會導致開關損耗太大,發熱量劇增而損壞。因此,要
國芯思辰|應用于船舶工業數據采集儀的國產高精度電壓基準源GREF1025,兼容美信MAX6070,工作電流僅230μA
在工業領域中,通常需要對較多的工業環境數據進行采集判斷以及轉換分析顯示,但是有些采集的數據比較微弱,通常需要經過放大器以及轉換器的處理,這就對精度有著嚴格的要求。在各類工業數據采集儀器的設計過程中,一般需要一顆基準源芯片的參與,配置高精度的電壓基準源。某工程師在設計船舶工業數據采集儀中需要對采樣到的信號進行處理中需要用到高精度、低功耗、基準電壓2.5V、工作電流可達5mA或以上的基準源,較終確定地
公司名: 國芯思辰(深圳)科技有限公司
聯系人: 李子杰
電 話: 15013593818
手 機: 15013593818
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地 址: 廣東深圳福田區石廈街道新天世紀商務中心A座2908
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基本半導體碳化硅MOSFET B1M080120HC,替代C2M0080120D,助力光伏逆變器設計
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