國芯思辰 | PB85RS128可用于數據存儲，助力各優化升級

時間：2023-02-20

作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司

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國芯思辰|對標AD7683，100k單通道GAD7683可用于自動電力抄表系統
隨著國內經濟和電力事業的發展，如今電力用戶數量已逐步增多且分布廣泛，為了實現用電管理自動化，遠程集中電力抄表系統將代替人工上門抄表、數據輸入等繁雜的勞動，提高用電管理信息水平，是強化電能計量抄表的重要手段。遠程電力抄表系統是基于GPRS網絡構建由中心管理計算機和數據采集系統組成，其中電力信息數據是系統較**的模塊之一，為了保證系統的性能指標需要用到一顆高精度高采樣率的ADC芯片，故此本文重點提到地
國芯思辰｜拍字節鐵電存儲器PB85RS128C用于伺服系統中存儲MCU數據，腳位兼容富士通MB85RS128B
目前在伺服系統的控制端，其組成包括了晶振、FPGA、EEPROM、MCU組成，MCU通過輸出PWM信號給IPM模塊來進行對伺服電機的控制，伺服電機的狀態通過位置環、電流環、速度環三環反饋給FPGA中進行數據分析處理，FPGA將數據分析處理完后將信息傳輸給MCU，MCU接收到FPGA中的信息后對數據進行處理來輸出相應的PWM信號給到IPM模塊進而調節電機。在上述這個過程中MCU往往需要處理大量的數據
國芯思辰｜基本半導體碳化硅MOS B1M080120HK助力光伏逆變器升壓電路設計
如下圖為典型的光伏逆變器框圖。該光伏逆變器設計主要由BOOST電路和逆變電路組成。BOOST電路的功率器件通常選擇IGBT單管和SiC二極管搭配使用。為了提高功率密度，需要BOOST開關頻率越高，因為這樣可以降低BOOST電感體積，提高功率密度，由于IGBT的開關頻率受制于開關速度和拖尾電流等因素，其開關頻率一般不**過20kHz，如果開關頻率過高的話，會導致開關損耗太大，發熱量劇增而損壞。因此，要
國芯思辰｜基本半導體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發電機，工作結溫-55~175℃
氫能發電機特指以氫氣為原料的發電機，原理類似傳統內燃機，經過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程，帶動電機產生電流輸出。氫能發電機是一種環保型的發電設備，具有無噪音、零排放和移動性強的特點。其效率要求也非常高，但傳統的功率MOS已經很難滿足發電機高開關頻率的要求，而碳化硅MOS則可以很好的滿足這一應用。某氫能發電機項目現需要一漏源電壓1200V，電流80A以上的碳化硅MOS。可采用基本半導體的B1M0321