IXYS艾賽斯單相整流橋模塊MCC95-16IO1B 二極管可控硅

時間：2023-07-27

作者：上海寅涵智能科技發展有限公司

詞條
詞條說明
IGBT模塊使用中的注意事項？
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模
熔斷器的特點
熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護設備的負荷電流選擇，熔斷器額定電流應大于熔體額定電流，與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座 3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合金，其熔點低容易熔斷，由于其電阻率較大，故制成熔體的截面尺寸較大，熔斷時產生的金屬蒸氣較多，只適用于低分斷能
IGBT模塊保管時的注意事項
一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕;盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合；在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方；保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物；裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。?
熔斷器選擇的原則？
1、根據線路要求和安裝條件選擇熔斷器的型號。容量小的電路選擇半封閉式或無填料封閉式；短路電流大的選擇有填料封閉式；半導體元件保護選擇快速熔斷器。2、根據負載特性選擇熔斷器的額定電流。3、選擇各級熔體需相互配合，后一級要比**級小，總閘和各分支線路上電流不一樣，選擇熔絲也不一樣。4、根據線路電壓選擇熔斷器的額定電壓。5、交流異步電機保護熔體電流不能選擇太小（建議2~2.5倍電機的額定電流）。如選擇過