詞條
詞條說(shuō)明
電容和電阻與晶振如何搭配運(yùn)作??晶振和電容的關(guān)系眾所周知,電容的基本功能在于儲(chǔ)存電荷并實(shí)現(xiàn)充電與放電過(guò)程。而在晶振電路中,負(fù)載電容與晶振之間存在著緊密的相互作用關(guān)系。晶振的匹配電容,我們可以簡(jiǎn)單地稱它為“負(fù)載電容”。想象一下,這個(gè)負(fù)載電容就像是晶振的一個(gè)小助手,幫助晶振開(kāi)始工作。晶振,就像是一個(gè)需要伙伴才能跳舞的人,而這個(gè)伙伴就是負(fù)載電容。晶振有兩條線,這兩條線會(huì)連接到IC塊(一個(gè)集成電
Deepseek背后的伙伴-晶振擔(dān)當(dāng)什么角色?
自2022年11月ChatGPT問(wèn)世以來(lái),人工智能技術(shù)持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)變革。歷經(jīng)兩年技術(shù)迭代與場(chǎng)景落地,AI已逐漸滲透至日常生活,成為不可?缺的助手。在此背景下,新一代AI伙伴DeepSeek憑借其*特優(yōu)點(diǎn)快速興起,引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。01#DeepSeek到底有什么魔力?春節(jié)期間爆火全網(wǎng),僅用一周用戶數(shù)量破億,DeepSeek到底有什么魔力呢?· 懂人情世故DeepSeek不僅僅是一個(gè)冷冰冰的代碼集合
晶振啟動(dòng)時(shí)間太長(zhǎng),硬件&軟件可以一起這樣優(yōu)化!
一、可能的原因和影響因素· 晶振自身特性1)品質(zhì)因數(shù)(Q值):Q值是衡量晶振性能的重要指標(biāo),表示儲(chǔ)存能量與損耗能量的比值。低Q值的晶振在啟動(dòng)時(shí)需要莄長(zhǎng)時(shí)間來(lái)積累能量并達(dá)到穩(wěn)定振蕩狀態(tài)。2)老化現(xiàn)象:晶振隨著使用時(shí)間的增長(zhǎng),會(huì)出現(xiàn)頻率漂移、Q值降低和諧振阻抗增加等問(wèn)題,這些都會(huì)導(dǎo)致起振時(shí)間延長(zhǎng)。·?電路設(shè)計(jì)1)負(fù)載電容:晶振兩端接入的負(fù)載電容值會(huì)直接影響啟動(dòng)時(shí)間。較大的負(fù)載電容需要莄長(zhǎng)時(shí)間
YXC差分振蕩器,頻點(diǎn)125MHz,工作電壓2.5V~3.3V,LVDS輸出,應(yīng)用于數(shù)據(jù)采集
數(shù)據(jù)采.集是指對(duì)設(shè)備被測(cè)的模擬或數(shù)字信號(hào),自動(dòng)采.集并送到上位機(jī)中進(jìn)行分析、處理。數(shù)據(jù)采.集卡,即實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采.集功能的計(jì)算機(jī)擴(kuò)展卡,可以通過(guò)USB、PXI、PCI、PCMCIA、ISA、Compact Flash、485、232、以太網(wǎng)、各種無(wú)線網(wǎng)絡(luò)等總線接入計(jì)算機(jī)。而晶振在數(shù)據(jù)采.集卡的作用包括:時(shí)鐘同步,數(shù)據(jù)采.集卡通常需要與外部設(shè)備進(jìn)行同步操作,以確保數(shù)據(jù)采.集的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。使得數(shù)據(jù)采.
公司名: 深圳揚(yáng)興科技有限公司
聯(lián)系人: 蔡欽洪
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小型化YOV1409SM 恒溫振蕩器OCXO 小體積SMD 溫度穩(wěn)定度正5ppb

高穩(wěn)YOV2020DP 國(guó)產(chǎn)化恒溫晶振 全國(guó)產(chǎn)材料 尺寸20.2x20.2x10 電壓3.3V和5V

差分溫補(bǔ)晶振YSO251PJ 頻率15至2100MHz 低相位抖動(dòng)0.25ps typ. 3.3V

高頻差分振蕩器YSO211PJ 156.25MHZ 2.5V FS50PPM LVDS 負(fù)40至85度 OI8BIB112156.25M

表晶YT38 32.768KHZ 12.5PF FS10PPM X308032768KGB2SCM

晶體 無(wú)源晶振 YSX530SC 8MHZ 20PF FS20PPM 負(fù)40至125度 XB50328MSB2SA18

石英差分振蕩器YSO231LJ 156.25MHZ 3.3V FS50PPM 負(fù)40至85度 LVPECL OL3EIC112156.25M

石英溫補(bǔ)壓控振蕩器YSV531PT 10MHZ 3.3V 負(fù)40至85度 牽引FS8PPM CMOS VT8EIFVT10M
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