CI920S 3BDS014111

時間：2018-12-27

作者：廈門仲鑫達科技有限公司

詞條
詞條說明
1746-P2
?工藝簡述?1、工藝本生產裝置包含五個工序：氫化工序、氧化工序、萃取凈化工序、后處理工序、包裝工序。由外管送來的氫氣（氯堿車間），經過加壓，然后送入氫化釜使其與工作液進行氫化反應，得到的氫化液再和氧氣反應，得到的氧化液（包括工作液和雙氧水），經過萃取分離，得到雙氧水，并使工作液得到再生，循環使用。其生產過程如下: 氫化工序把蒽醌轉化蒽氫醌或四氫化蒽醌。氧化工序用空氣中的氧直
EPRO PR6423/004-010
IC697CMM711Q? MVA(MULTI-DOMAIN VERTICAL alignMENT，多區域垂直排列)技術，原理是增加**物來形成多個可視區域。液晶分子在靜態的時候并不是完全垂直排列，在施加電壓后液晶分子成水平排列，這樣光便可以通過各層。MVA技術將可視角度提高到160度以上，并且提供比IPS和TN+FILM更短的響應時間。這項技術是富士通公司開發的，目前閩臺奇美（在大陸
ABB PM511V08
?1．1硬件設計設計方法的硬件電路實現是一個起動按鈕SB1和一個停止按鈕SB2，兩個數碼管的a、b、c、d、e、f、g段分別連在一起，再與PLC的輸出端Q0.0～Q0.7通過限流電阻連接，兩個數碼管的公共端com1和com2分別通過三極管由PLC的輸出端Q1.0和Q1.1控制，其接線原理如圖1所示。圖1雙數碼管掃描顯示PLC驅動電路由PLC輸出端Q1.0和Q1.1的高低電平控制處于
AM-SA85-002
聰明出于勤奮，天才在于積累。——華羅庚? igbt在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。igbt集雙較型功率晶體管和功率mosfet的優點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優點。但是，igbt和其它電力電子器件一樣，其應用還依賴于電路條件和開關環境。因此，igbt的驅動和保護電路是電路設計的難點和重點，是