HVA 高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機

時間：2023-05-23

作者：伯東企業（上海）有限公司

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KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
KRI 離子源應用于車載AR-HUD 鍍膜
?HUD?已經成為一種常見的汽車配置與功能,?通過它來直觀顯示速度、發動機轉速或其他懸停在駕駛員視野中的信息,?減少因低頭查看儀表盤而造成的分心,?提升駕駛.?目前量產的車用抬頭顯示?HUD?正在從風擋型?W-HUD?逐漸向增強現實型的?AR-HUD?發展：從單純的信息展示屏幕,
KRI 霍爾離子源應用于黑膜鍍制
? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術.?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應用前景.?如可在精密光學儀器和光學零件、醫療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3