HVA 高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機

時間：2023-05-23

作者：伯東企業（上海）有限公司

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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜
合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n
燃料電池儲氫系統氦質譜檢漏法
上海伯東燃料電池儲氫系統氦質譜檢漏法氫是一種易于儲存, 運輸和使用的能源載體.?在多種工業領域的脫碳,?以及在行駛距離長,?加油所需時間短的零排放出行中,?氫技術都發揮重要作用.?氫能作為一種清潔能源在燃料電池中的化學反應只產生水,?電和熱.?已被廣泛應用于燃料電池電動汽車?FCEV?車載儲氫系統,
HVA 高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA?高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機OLED 鍍膜機主要面向半導體照明客戶, 需要鍍膜機性能穩定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應用一般科研用鍍膜機的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時需要配置分子泵系統或低溫泵
KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用
上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 系列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD.?e-beam?電子束蒸