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繼2014年陸續推出數字多模PDM數字麥克風、I2S數字輸出麥克風以及側進音麥克風之后,蘇州敏芯微電子技術有限公司近期又**新的技術突破,推出模擬65dB高信噪比MEMS麥克風。高信噪比麥克風廣泛的用于*手機客戶的旗艦機,在麥克風陣列降噪、高保真錄音、以及遠場音源應用時(如免提通話或錄制視頻),高信噪比麥克風可顯著的提高音質。與國外高信噪比產品通常采用的增大MEMS芯片尺寸(通常為1.3*1.3
LDO的應用非常簡單,很多LDO僅需在輸入端及輸出端各接一顆電容即可穩定工作。在LDO的應用中需要考慮壓差、靜態電流、PSRR等重要參數。在以電池作為電源的系統中,應當選擇壓差盡量低的LDO,這樣可以使電池較長時間為系統供電,比如NCP600,NCP629等等。靜態電流Iq是Iquiescent的縮寫,指芯片自身所消耗的電流。在一些低功耗應用中,應當盡量選擇Iq小的LDO。一些工程師在設計低功耗系
輸出電容的選擇輸出電容是用來補償LDO穩壓器的,所以選擇時必須謹慎。基本上所有的LDO應用中引起的振蕩都是由于輸出電容的ESR過高或過低。LDO的輸出電容,通常鉭電容是較好的選擇(除了一些專門設計使用陶瓷電容的LDO,例如:LP2985)。測試一個AVX的4.7uF鉭電容可知它在25℃時ESR為1.3Ω,該值處在穩定范圍的中心。另一點非常重要,AVX電容的ESR在-40℃到+125℃溫度范圍內的變
一、Sensor基本常識簡介Sensor:是電容屏的電信號功能層,其可以是單層材料構成,也可以是多層材料形成復合結構,俗稱"功能片"種類及其特點:Film做ITO載體的Sensor :厚度優勢,未來Film電容屏將越來越薄Glass做ITO載體的Sensor:可全ITO工藝,OGS結構等(1)Film做ITO載體的工藝:單層:一層ITO層,無屏蔽層,主要用于中小尺寸Film,成本低;雙層:兩層IT
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