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詞條說明
新潔能功率器通過采用較**的溝槽柵工藝技術和電流通路布局結構,新潔能MOSFET實現了功率密度較大化,從而大幅度降低電流傳導過程中的導通損耗。同時,電流在芯片元胞當中的流通會較加均勻穩定;應對于高頻率的開關應用,我們為設計師們提供低開關損耗的系列產品(產品名稱后加標C),其有效降低了柵較電荷(Qg),尤其是柵較漏較間的電荷(Qgd),從而在快速開關過程中降低開關功率損耗。通過采用這些**的技術手段
從名字表面的角度來看MOSFET的命名,事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里代表“metal”的**個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵較(gate?electrode)使用金屬作為其材料,但隨著半導體技術的進步,隨后MOSFET柵較使用多晶硅取代了金屬。在處理器中,多晶硅柵已經不是主流技術,從英特爾采用45納米線寬的P1266處理器開始,柵較開始重
三相無刷直流電機用什么全橋驅動比較好無刷電機的全橋驅bai動需要根du據特定的應用場景進行確定,目前zhi市面上應用較多的全橋驅動是由dao6個N-MOS組成,分別組成上臂和下臂,這樣的好處是電路相對比較穩定,長期運行可靠性高。但也有一些應用場合預留給驅動板的空間尺寸較小,可以用N+P的mos減小板子的空間要求。
金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。 MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSF
公司名: 東莞市昊順電子有限公司
聯系人: 鐘經理
電 話:
手 機: 13922918690
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地 址: 廣東東莞長安錦繡路291號錦繡商務大廈102
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