驪微科技推出高集成pd 20w快充方案

時(shí)間：2020-10-24作者：深圳市驪微電子科技有限公司瀏覽：262

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  詞條說明

• PN8366 5V1.2A充電器方案

  PN8366產(chǎn)品描述：PN8366集成**低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V)，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8366為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6

• 六級(jí)能效5v 2a充電器方案

  5v充電器是市場上出現(xiàn)比較多的充電方案，作為一個(gè)電源工程師面對(duì)市場上眾多的充電器電源芯片，有時(shí)候難免也是一件很困惑的事情，下面驪微電子一款5v開關(guān)電源芯片滿足六級(jí)能效的5v2a電源充電器方案。?PN8370M+PN8306M 5v開關(guān)電源芯片六級(jí)能效方案亮點(diǎn) : ?外圍簡潔（節(jié)省8顆元件）：PN8370M節(jié)省2顆啟動(dòng)電阻；PN8306M*特控制技術(shù)可實(shí)現(xiàn)零外圍工作，節(jié)省傳統(tǒng)SR

• PN8368 內(nèi)置mos充電器IC方案

  PN8368產(chǎn)品描述：PN8368集成**低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8368為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較

• PN8147電源適配器ic方案

  PN8147**低待機(jī)功耗交直流轉(zhuǎn)換芯片PN8147內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET，**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源 該芯片提供 較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能 包括周期式過流保護(hù)(外部 調(diào)） 過載 關(guān)電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括周期式過流保護(hù)(外部可調(diào)）、過載保護(hù)、過壓保護(hù)、CS短路保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。通過Hi-mode、Eco-mode