240w氮化鎵，pd快充氮化鎵-久宇盛電子

時間：2024-06-21作者：久宇盛電子（深圳）有限公司瀏覽：45

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  詞條說明

• DC-DC降壓芯片，10a大電流dcdc降壓芯片，OC5801L

  DC-DC降壓芯片是一種用于將電源電壓降低到所需水平的電子元件，廣泛應用于各種電子設備中，特別是在需要穩定、電源供應的場合。其中，OC5801L是一款具有顯著特性的10A大電流DC-DC降壓芯片。，OC5801L芯片具有寬電壓輸入范圍，可以從8V到150V的電壓范圍內工作，這使得它非常適用于車載設備、電動車中控等需要寬電壓輸入的場合。同時，它的率特性也非常，可以達到96%的率，這有助于減少能源浪費

• 封裝外周圍元器件少的芯片，可采用大輸出電容啟動芯片，OC5864

  OC5864是一款具有許多特性的芯片。它是一款內置功率MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器，能在寬輸入電源范圍內實現穩定的峰值輸出電流，并具有出色的線電壓和負載調整率。此外，OC5864還集成了包括逐周期電流限制和熱關斷等保護功能，確保了芯片的穩定性和性。 值得一提的是，OC5864的外圍元器件相對較少，這使得它在封裝和布局上為簡潔，有助于減少整體電路的復雜性和提高性。同時，該芯片還支持采用大輸

• 支持高低亮工作模式芯片，大功率LED燈泡芯片方案，OC5138

  OC5138確實是一款支持高低亮工作模式的芯片，非常適合用于大功率LED燈泡的驅動方案。這款芯片內置了90V功率MOS，具有率和的特點，使得它成為大功率LED應用的理想選擇。 OC5138采用了固定頻率的PWM工作模式，其典型工作頻率為140KHz，這有助于實現穩定的LED亮度控制。同時，該芯片還采用了平均電流檢測模式，具有優異的負載調整率特性，可以在不同的工作條件下保持穩定的性能。 在高低亮工作

• 90w氮化鎵，氮化鎵快充-久宇盛電子

  氮化鎵（GaN）是一種新型半導體材料，它具有高電子遷移率、高擊穿電場和低導通電阻等出色的物理特性。這些特性使得氮化鎵在制造高效能、高功率密度的電子器件方面有著巨大的潛力。 那么，當氮化鎵應用于快充技術時，它就可以幫助實現較高的充電功率和較快的充電速度。與傳統的硅基充電器相比，氮化鎵充電器能夠在相同體積和重量下提供較高的充電功率，同時還具有較高的能量轉換效率和較低的發熱量。 至于90W氮化鎵快充，它