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詞條說明
1.根據(jù)不同的使用場(chǎng)景和參數(shù)確定當(dāng)熔斷器的保護(hù)對(duì)象不同時(shí),熔斷器的類型選擇也不一樣,比如,對(duì)于容量較小的照明線路或者小功率電機(jī)的保護(hù),宜采用RC1A系列插入式熔斷器,因?yàn)槿垠w的熔化系數(shù)較小有利于電路的過電流保護(hù)。與之相反,對(duì)于大容量電路或大功率電器的保護(hù),則要在安裝熔斷器的基礎(chǔ)上,加裝其它過電流保護(hù)裝置。如果碰到預(yù)期短路電流較大的電路或易燃?xì)怏w的場(chǎng)合,可以考慮選擇具備高分?jǐn)嗄芰Φ腞L系列螺旋式熔斷
7MBP150TEA060-50 富士igbt芯片可控硅驅(qū)動(dòng)
上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司代理功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及配套器件,IGBT以及配套驅(qū)動(dòng)專業(yè)網(wǎng)上供應(yīng)商。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽(yù),在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象,同時(shí)與多家電力電子企業(yè)和上市公司長(zhǎng)期保持著穩(wěn)定互信的合作關(guān)系,也是眾多電子廠商(英飛凌/Infineon凌、西門康/Semikron,艾塞斯/IXYS、富士/Fuji、三菱/Mitsubishi 、瑞士ABB,We
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模
B43564-S9428-M3愛普科斯EPCOS鋁電解電容逆變器
?B43564-S9428-M3 愛普科斯EPCOS鋁電解電容逆變器上海寅涵智能科技發(fā)展有限屬于電力半導(dǎo)體器件和電子元器件的專業(yè)代理及分銷商,產(chǎn)品廣泛供應(yīng)世界各地,應(yīng)用到民用,工業(yè),通信,**等電子產(chǎn)品領(lǐng)域中專注為開關(guān)電源、逆變電源、電力電源、電刷及電刷架等,廣泛應(yīng)用于電力、通訊、電子、冶金、化工、交通等行業(yè)電路保護(hù)及設(shè)備維護(hù)用備件、不間斷電源、通信電源等能量控制與變換產(chǎn)品提供**的半導(dǎo)
公司名: 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 蔣艷
電 話: 021-51096998
手 機(jī): 18221423398
微 信: 18221423398
地 址: 上海浦東自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號(hào)1幢3層
郵 編:
網(wǎng) 址: yygydn123.cn.b2b168.com
功率晶閘管半導(dǎo)體IGBT模塊|一件也是批發(fā)價(jià)|FZ400R17KE3 400A
?IGBT-Module|現(xiàn)貨供應(yīng)|FZ1200R16KF4 1200A
Infineon英飛凌IGBT模塊|一手貨源|FZ1800R16KF4 1800A
功率半導(dǎo)體igbt|一件也是批發(fā)價(jià)|FZ2400R17KE3 2400A
IGBT驅(qū)動(dòng)電路|現(xiàn)貨供應(yīng)|FZ1800R17KE3_B2 1800A
英飛凌igbt單管|貨源穩(wěn)定|FZ800R16KF4 800A
大功率igbt高壓可控硅|原盒原包|FZ2400R17KF6C_B2 2400A
功率晶閘管半導(dǎo)體IGBT模塊|一手貨源|FZ1600R17KE3_B2 1600A
公司名: 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 蔣艷
手 機(jī): 18221423398
電 話: 021-51096998
地 址: 上海浦東自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號(hào)1幢3層
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