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MCC95-16IO1B艾賽斯IXYS可控硅模塊MCC26-08IO1B 全新
? ? ? ? IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國并在美國納斯達上市的世界*半導體生產商,公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導體產品的研發和生產,包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速二極管,肖特基,電源管理IC等.IXYS 的產品以高靠性和大功率為業界所推崇,產品廣泛的應用在通信電源,工業傳動,醫療設備,汽車電子,平板顯視等
MCC162-16io1B IXYS艾賽斯晶閘管可控硅模塊 MCC132-12io1B 長期供貨
? ? ? IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國并在美國納斯達上市的世界半導體生產商,公司致力于增加效率,降低能耗的功率半導體產品的研發和生產,包括MOSFET,IGBT,可控硅/晶閘管,整流橋,肖特基,電源管理IC等.IXYS 的產品以高靠性和大功率為業界所推崇,產品廣泛的應用在通信電源,工業傳動,汽車電子,平板顯視等領域.IXYS先后收購了ZILOG,WE
美國Bussmann巴斯曼170M1570熔斷器/熔芯/底座 放心選購
巴斯曼熔斷器---熔斷器擔負的主要任務是為電線電纜作過載與短路保護,不論短路電流值有多高,它都能切斷。其次,也適宜用作設備和電器的保護。----熔斷器能擔負的任務與使用條件有:----· 為避免出現不必要的運行事故,可用在選擇性要求較高的輻射式電網和格子式電網中----· 小型斷路器或塑殼式斷路器進線的后備保護----· 在可能出現短時過載和短路的電動機回路中擔負保護任務----· 開關電器,如接
IGBT可控硅模塊FF200R12KT3德國英飛凌infineon 全新
IGBT模塊是現代電力電子技術中的**組件,廣泛應用于工業控制、新能源汽車、儲能系統等領域。以下是關于 IGBT 模塊的詳細信息:IGBT 模塊的基本結構IGBT 芯片: IGBT 模塊的**是絕緣柵雙較型晶體管芯片,具有高開關速度和低導通損耗。續流二極管: 用于保護 IGBT 芯片,防止反向電流對芯片的損壞。封裝材料: 常用氧化鋁作為散熱基板,高性能模塊可能使用氮化鋁或氮化硅陶瓷基板。連接方式:
公司名: 上海梓毅電子科技有限公司
聯系人: 蔡經理
電 話: 18914968761
手 機: 15316986895
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德國英飛凌IGBT功率模塊可控硅模塊FF300R12KS4 infineon
INFINEON英飛凌igbt可控硅模塊FF450R12ME4 全新 德國進口
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FF50R12RT4/FF75R12KT4英飛凌功率IGBT可控硅功率模塊 全新
FP35R12KT4 英飛凌IGBT模塊 可控硅 驅動模塊 型號齊全
TT330N16KOF英飛凌 Infineon IGBT二管可控硅模塊 適用工業領域
英飛凌 功率IGBT模塊TD570N16KOF TZ800N18KOF二管模塊 可控硅模塊
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