HVA 真空閥門應(yīng)用于E-Beam鍍膜機(jī)

時間：2024-01-11作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：53

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• KRi 大面積射頻離子源應(yīng)用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)

  上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性（1 σ）達(dá)到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 導(dǎo)體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機(jī)的部件,

• KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

  合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學(xué)實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n

• KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用

  上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 系列, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強(qiáng)設(shè)計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD.?e-beam?電子束蒸

• 美國 HVA 高真空閥門簡介

  美國?HVA 真空閥門中國總代理上海伯東是美國?HVA 高真空和高真空閥門中國總代理!?HVA?是美國大的真空閥門制造商, 在美國有過四十年的歷史, 擁有6萬平方英尺的全自動加工工廠,?HVA?提供高質(zhì)量, 準(zhǔn)確, 客制化的真空閥門. 無論是生產(chǎn)線升級, 還是新設(shè)備制造,?HVA?都能提供經(jīng)濟(jì)有效的閥門解決方案,