*十七屆全國MOCVD學術會議與您太原相見！

時間：2022-08-05

作者：鵬城半導體技術（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
熱絲CVD金剛石解決方案
【前言】金剛石是自然界已發現的具有較高的硬度、強度、耐磨性材料，金剛石具有的熱導率、透過波段、聲速以及半導體特性和化學惰性等綜合性能使其成為當今世界上較優秀的*材料。上世紀80年代初期通過化學低壓氣相沉積生成金剛石薄膜(CVD)技術**突破性進展，經過多年的研究發展，CVD金剛石生長技術已日漸成熟。目前已有四種形態的CVD金剛石產品進入市場，它們是：1)純多晶金剛石厚片 2)涂層金剛石；3)大
高真空磁控濺射鍍膜技術【地震資訊】
真空鍍膜技術作為一種產生特膜層的技術，在現實生產生活中有著廣泛的應用。真空鍍膜技術有三種形式：即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍膜。在這里主要講下磁控濺射鍍膜。磁控濺射技術在市場中應用非常的廣泛，各行各業物件膜層鍍膜，大多數都是采用磁控濺射技術，磁控濺射技術在真空行業也是非常的受歡迎和追捧。高真空磁控濺射鍍膜是屬于物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種，一般的濺
「喜訊」熱烈祝賀鵬城半導體榮獲4項軟件著作權專利證書
近日，鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導體）申請的《PVD薄膜沉積系統軟件》、《高真空濺射系統軟件》、《電子束蒸鍍薄膜沉積系統軟件》、《微米晶、納米晶金剛石薄膜CVD沉積系統軟件》4項軟件著作權**通過審批，經*人民共和國國家**考證，根據《*人民共和國計算機軟件保護條例》和《計算機軟件著作權登記辦法》的規定，鵬城半導體技術（深圳）有限公司被認定這4項軟件的法定著作權人，從頒證
化學氣相沉積設備（CVD）-小型管式LPCVD設備
LPECVD是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。小型管式LPCVD設備設備結構及特點1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。基片形狀類型：不規則形狀的散片、φ2～4