開關電源芯片的分類

時間：2021-09-27

作者：深圳市維品佳科技有限公司

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車充IC LP6498B LP6490F LP6490 LP6490A LP6492 5.1V/1A/2.1
車充IC LP6498B LP6490F LP6490 LP6490A LP6492 做5.1V/1A/2.1~2.4A方案資料LP6498B 5.1V/1A 低成本方案?1、內置MOS，同步降壓控制器，高率88%2、輸入高耐壓36V，輸出固定5.1V，無外圍原件，低BOM成本3、200KHZ開關頻率支持小貼片電感15uH4、低靜態(tài)電流5mA及輸入欠壓保護5、輸出電壓精度±1.5%，恒壓
適用于小功率AC/DC電源IC CR6332
CR6332 芯片特性：● CR6332 內置 600V 高壓功率 MOSFET，反激式原邊檢測 PWM 功率開關；● 內置軟啟動，減小 MOSFET 的應力，內置斜坡補償電路；● 較低的 IC 功耗；● 具有頻率抖動功能，使其具有良好的 EMI 特性；● 具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP 自動恢復、OVP 鎖存”等多種保護功能；● 原邊反饋，無需光耦和 TL431,可調式線損補償,IC 基準
分析肖特基二管的優(yōu)勢與結構應用
分析肖特基二管的優(yōu)勢與結構應用?一、肖特基二管具有的優(yōu)勢肖特基二管MBR系列快的開關速度以及非常低的反向恢復時間使它們非常適合高頻應用，并能大程度降低開關損耗。肖特基二管與普通的PN結二管不同。是使用N型半導體材料與金屬在一起結合形成金屬一半導體結。肖特基二管比普通二管有正向壓降低、反向電荷恢復時間短（10ns以內）等優(yōu)點。二、肖特基二管結構肖特基二管在結構原理上與PN結二管有很大區(qū)別，
肖特基二管的優(yōu)缺點
肖特基二管的優(yōu)勢SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面：1）由于肖特基勢壘高度PN結勢壘高度，故其正向導通和正向壓降都比PN結二管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，不同于PN結二管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小，尤其適合于高頻應用。肖特基二管