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肖特基二管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)肖特基(Schottky)二管也稱肖特基勢壘二管(簡稱SBD),是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘層為基礎(chǔ)制成的二管,其主要特點是正向?qū)▔航敌。s0.45V),反向恢復(fù)時間短和開關(guān)損耗小,是一種低功耗、高速半導(dǎo)體器件。肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、
啟臣微CR6853B屬低成本、低EMI技術(shù)工作原理芯片
啟臣微CR6853B屬低成本、低EMI技術(shù)工作原理芯片?CR6853B的特征和詳細的工作原理,描述了一種采用CR6853B的反激式隔離AC-DC開關(guān)電源的簡單而的設(shè)計方法。CR6853B為CR6853的ESD特別提高版本,功能和PIN腳完全兼容。芯片特征:1.低成本、PWM&PFM&CRM (周期復(fù)位模式)控制2.低啟動電流(約 3uA)3.低工作電流(約 1.2mA
綠色節(jié)能電流模反激PWM功率開關(guān)CR5229的主要特點與應(yīng)用
CR5229綠色節(jié)能電流模反激PWM功率開關(guān)CR5229主要特點 z 內(nèi)置 4ms 軟啟動以降低功率管開機尖峰電流z 采用輕載降頻設(shè)計,以提率和降低待機功耗z 采用頻率抖動以達到好的 EMI 性能 z SENCE 峰值電流檢測輸入端內(nèi)置消隱功能z 無音頻噪聲工作模式 z 固定工作頻率:50KHz z 內(nèi)置斜坡補償 z 低的啟動電流和工作電流 z 欠壓鎖定保護(UVLO) z 過載保護(OLP)
CR5269S 是一款的電流控制型PWM開關(guān)芯片,滿足六級能效
CR5269SSK 是一款的電流控制型PWM開關(guān)芯片,滿足六級能效CR5269SSK 是一款的電流控制型 PWM 開關(guān),全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于 75mW,滿足能效六標(biāo)準(zhǔn)。為了減少待機功耗和提升效率,CR5269SSK 集成了多種工作模式。隨著負載的變化,CR5269SSK 可以工作在三種不同的模式,并且每種模式都做了優(yōu)化。當(dāng)負載很重時,系統(tǒng)工作在傳統(tǒng)的 PWM(脈沖寬度調(diào)制)模式。當(dāng)負載變輕時,
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聯(lián)系人: 陳小姐
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