*四屆**半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（重慶）博覽會(huì)圓滿落幕

時(shí)間：2022-07-06作者：鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司瀏覽：185

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司專注于PVD鍍膜設(shè)備,化學(xué)氣相沉積,金剛石涂層等

• 詞條

  詞條說明

• 新一代半導(dǎo)體技術(shù)-真空鍍膜技術(shù)的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

  摘要：隨著可持續(xù)發(fā)展觀的深入普及和社會(huì)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，經(jīng)濟(jì)與環(huán)保協(xié)同發(fā)展成為當(dāng)下企業(yè)發(fā)展和科技創(chuàng)新的主要趨勢(shì)。傳統(tǒng)的通電鍍膜技術(shù)會(huì)產(chǎn)生較大的污染，且鍍膜質(zhì)量不高，經(jīng)濟(jì)效益低下，已逐漸退出歷史舞臺(tái)，取而代之的是技術(shù)較加**、鍍膜質(zhì)量較加優(yōu)秀的真空鍍膜技術(shù)。真空鍍膜技術(shù)始于20世紀(jì)30年代，當(dāng)前真空鍍膜技術(shù)已從實(shí)驗(yàn)室走向了工廠，實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模生產(chǎn)，在光伏、建筑、裝飾、通訊、照明等工業(yè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用

• 化學(xué)氣相沉積設(shè)備（CVD）-小型管式LPCVD設(shè)備

  LPECVD是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。小型管式LPCVD設(shè)備設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)1、小型化，方便實(shí)驗(yàn)室操作和使用，大幅降低實(shí)驗(yàn)成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。基片形狀類型：不規(guī)則形狀的散片、φ2～4

• 2022.03.31較新資訊-早知道

  鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司研發(fā)設(shè)計(jì)制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備，分為實(shí)驗(yàn)型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜、硬質(zhì)合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內(nèi)孔鍍金剛石薄膜等。例如可用于生產(chǎn)制造環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的耐腐蝕金剛石導(dǎo)電電極。可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。平面工作尺寸圓形平面工作的尺寸：較大φ650mm

• *十七屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議與您太原相見！

  2022年8月15日-18日，2022十七屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議選擇在中國(guó)·太原·湖濱國(guó)*際大酒店舉行。金屬**化學(xué)氣相淀積（MOCVD）技術(shù)自二十世紀(jì)六十年代提出以來，取*得了飛速進(jìn)步，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于制備III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半導(dǎo)體材料及其**結(jié)構(gòu)，較*大地推動(dòng)了光電子器件和微電子器件與芯片的發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化，也成為半導(dǎo)體**晶格、**阱、**線、**點(diǎn)結(jié)構(gòu)材料及相