小功率 AC/DC充電器和電源適配器的控制器芯片CR5215

時間：2022-08-23

作者：深圳市維品佳科技有限公司

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詞條說明
肖特基二管的內部結構
肖特基二管的內部結構肖特基（Schottky）二管也稱肖特基勢壘二管（簡稱SBD），是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎制成的二管，其主要特點是正向導通壓降小（約0.45V），反向恢復時間短和開關損耗小，是一種低功耗、高速半導體器件。肖特基二管在結構原理上與PN結二管有很大區別，它的內部是由陽金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、
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