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詞條說明
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過
HVA 真空閥門(真空閘閥)成功用于激光真空系統(tǒng)
激光是一種很奇妙的?”物質(zhì)”,?是人類繼原子能、計(jì)算機(jī)和半導(dǎo)體之后人類的又一偉大發(fā)現(xiàn).人們都知道,?激光亮度高,?可以達(dá)到太陽亮度的10億倍甚.激光純凈無比,?單色性好;?激光具有無比的準(zhǔn)直性(直線傳播);?而且,?激光的能量強(qiáng)大,?瞬間爆發(fā)的能量,?即使堅(jiān)硬的物體也能夠被穿透、熔化.?因
美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用
上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國(guó)?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3
氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備
氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實(shí)現(xiàn)金剛石膜制備微波等離子體化學(xué)氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認(rèn)方法. MPCVD 裝置將微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波經(jīng)波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)進(jìn)入反應(yīng)器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發(fā)下, 在反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電, 使反應(yīng)氣體的分子離化, 產(chǎn)生等離子體, 在基板臺(tái)上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機(jī): 13918837267
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地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室
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網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
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