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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的
回收英飛凌IGBT主要是用來做能源轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)模谛履茉窜嚕悄茈娋W(wǎng),航空航天和通信方面有廣泛的應(yīng)用。IGBT全稱叫做:絕緣柵雙極型晶體管,是一種在新能源車上應(yīng)用極其廣泛的半導(dǎo)體。什么是半導(dǎo)體?金屬導(dǎo)電性能好,稱為導(dǎo)體,塑料,陶瓷,木頭導(dǎo)電性能不好,稱為絕緣體。半導(dǎo)體是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體中間。而IGBT是一種由控制電路來控制,是否導(dǎo)電的半導(dǎo)體。比如控制電路指示為通,那么IGBT就是導(dǎo)體,電流
1、安全工作區(qū)在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規(guī)的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時(shí)候的保護(hù)。這個(gè)是開通和關(guān)斷時(shí)候的波形,這個(gè)是相關(guān)的開通和關(guān)斷時(shí)候的定義。我們做設(shè)計(jì)時(shí)結(jié)溫的要求,比如長期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi),做到這個(gè)保證的前提是需要把這個(gè)模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來。這樣結(jié)合這個(gè)參數(shù)以后,結(jié)合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來計(jì)算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫,是
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