材料蒸發(fā)溫度控制電源

時間：2016-11-28

作者：長春艾克思科技有限責任公司

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MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析
MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析 BJT?管并聯(lián)均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
0-15A智能PID半導體制冷片恒流驅(qū)動源
0-15A智能PID半導體制冷片恒流驅(qū)動源（型號：TEC-300W-15A-20）可用于控制激光器件、醫(yī)療器件、半導體器件、紅外探測器、光電倍增管、或其它任何需要溫度控制的地方。該產(chǎn)品采用現(xiàn)代較新電力電子器件和高速微處理器(MPU)程序控制技術，以及PWM調(diào)制、雙向電源、PID調(diào)節(jié)技術，具有優(yōu)良的電壓、電流輸出特性，開關機時無過沖、反沖、浪涌現(xiàn)象，并帶有過流、過溫、欠溫等保護電路，以及一組常
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0-45A??高精度積木式LD半導體激光器恒流源 (型號：PWR-45A-20V) 應用范圍：LD激光器驅(qū)動光纖激光器激光打標機高頻調(diào)Q激光優(yōu)點：**：結構簡單且容易實現(xiàn)任意大小電流輸出，使用子模塊搭積木式結構，客戶維護方便快捷。 *二：基于子模塊高精度、高效率的特點，系統(tǒng)也具有精度高，效率**高特點。 *三：系統(tǒng)母板上再設過流、過熱保護，使得恒流源半導體激光器橫流驅(qū)動源高可靠性。
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正負干擾抵消電光調(diào)Q干擾消除方法分析高壓窄脈沖干擾消除方法分析*二版電光調(diào)Q是一種高壓窄脈沖，具有高電壓、大電流、寬頻帶范圍強干擾的特性，電子設備在如此干擾的環(huán)境中，往往出現(xiàn)死機、誤動作、花屏、甚至燒損等故障，這類故障的形成原因復雜，使用傳統(tǒng)的處理故障手段力所不及。一般情況下，電光調(diào)Q形成單向高壓脈沖，雖然采用濾波，屏蔽等手段，能夠降低干擾到原來的10%；但是任然不能滿足精密測試的要求；較高等