0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動(dòng)源

時(shí)間：2020-01-05作者：長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：4997

長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司專(zhuān)注于調(diào)Q電源,二極管測(cè)試儀,TEC溫度控制器等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 可編程高壓電源

  一、應(yīng)用范圍 1、高壓實(shí)驗(yàn) 2、電器設(shè)備的絕緣耐壓測(cè)試 3、 高壓電容耐壓測(cè)試 4、電子加速實(shí)驗(yàn) 5、 電離空氣產(chǎn)生等離子體 6、半導(dǎo)體器件測(cè)試 7、IGBT測(cè)試 8、二極管測(cè)試 二、電源參數(shù) 類(lèi)型 數(shù)值 單位 備注 輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過(guò)0-5V調(diào)節(jié)輸出的0-20kv 過(guò)流保護(hù) 5 W 當(dāng)輸出功率大于5W時(shí)，電源自動(dòng)啟動(dòng)保護(hù) 輸出功率 0

• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿(mǎn)足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買(mǎi)的IRF4

• 長(zhǎng)春艾克思3相逆變電源UPS順利通過(guò)EMC認(rèn)證

  長(zhǎng)春艾克思3相逆變電源UPS順利通過(guò)EMC認(rèn)證 近日，長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司研制的3相逆變電源UPS產(chǎn)品順利通過(guò)EMC測(cè)試，標(biāo)志著AIKS品牌逆變電源**了進(jìn)入國(guó)外市場(chǎng)的通行證，此項(xiàng)殊榮是一次一突破性的認(rèn)證。 ??眾所周知，由于逆變電源固有的特點(diǎn)，自身產(chǎn)生的各種噪聲形成一個(gè)很強(qiáng)的電磁干擾源，所產(chǎn)生的干擾隨著輸出功率的增大而明顯地增強(qiáng)，使整個(gè)電網(wǎng)的諧波污染狀況愈加嚴(yán)重。對(duì)電子設(shè)備的正常運(yùn)行構(gòu)成了

• 首創(chuàng)：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！

  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！ 電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開(kāi)關(guān)。電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點(diǎn)！但是正是由于較高的開(kāi)關(guān)速度，在調(diào)Q器件兩端都會(huì)形成壓電振鈴效應(yīng)，這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開(kāi)關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng)：調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)和晶體連接，連接導(dǎo)線(xiàn)等效為一個(gè)諧振電感L，晶體等效為一個(gè)諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過(guò)程是一個(gè)高壓窄脈沖過(guò)程，高壓脈