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MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
毫歐電阻的溫度影響精度測試分析 取樣電阻的溫度影響精度測試分析 分流器的精確測試分析 ? 分流器是測量直流電流用的,根據(jù)直流電流通過阻值很小的電阻時(shí)在電阻兩端產(chǎn)生電壓的原理制成。 在實(shí)際應(yīng)用中,要測量一個(gè)很大的電流值,沒有大量程的電流表測量其電流,分流器就可以產(chǎn)生作用了。分流器兩端產(chǎn)生毫伏級直流電壓信號,使并接在該分流器兩端的計(jì)量表顯示電壓值,分流器的電阻時(shí)定值,通過計(jì)算得到實(shí)際測量的
圖1 產(chǎn)品外觀圖 一、 概述 PID控制溫度的參數(shù)、適應(yīng)的溫度范圍有限,50~1300℃大溫度范圍的控制,一般采用多點(diǎn)曲線升溫的方式,單一的PID參數(shù)容易引發(fā)高溫段或者低溫段的震蕩現(xiàn)象,引發(fā)系統(tǒng)失調(diào),損壞電熱絲和熱電偶,經(jīng)過長期的實(shí)驗(yàn)調(diào)試,這里推出多參數(shù)PID控制電源,用于大溫度范圍的控制。PID控制電源人性化的在**板引入較大輸出功率限制調(diào)節(jié)旋鈕,通過設(shè)定旋鈕位置,保證了加熱系統(tǒng)的安全;電源前
正負(fù)干擾抵消電光調(diào)Q干擾消除方法分析 高壓窄脈沖干擾消除方法分析*二版 電光調(diào)Q是一種高壓窄脈沖,具有高電壓、大電流、寬頻帶范圍強(qiáng)干擾的特性,電子設(shè)備在如此干擾的環(huán)境中,往往出現(xiàn)死機(jī)、誤動(dòng)作、花屏、甚至燒損等故障,這類故障的形成原因復(fù)雜,使用傳統(tǒng)的處理故障手段力所不及。一般情況下,電光調(diào)Q形成單向高壓脈沖,雖然采用濾波,屏蔽等手段,能夠降低干擾到原來的10%;但是任然不能滿足精密測試的要求;較高等
公司名: 長春艾克思科技有限責(zé)任公司
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