MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時間：2015-08-26作者：長春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：151

長春艾克思科技有限責(zé)任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測試儀,TEC溫度控制器等

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  電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品 ??? 我公司研制的電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品，分別為100Hz、1KHz、5KHz、10KHz、50KHz和200KHz。其中200KHz正在測試階段。

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• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4