MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時(shí)間：2016-06-29作者：長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：154

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買的IRF4

• 毫歐電阻的溫度影響精度測(cè)試分析

  毫歐電阻的溫度影響精度測(cè)試分析 取樣電阻的溫度影響精度測(cè)試分析 分流器的精確測(cè)試分析 ? 分流器是測(cè)量直流電流用的，根據(jù)直流電流通過(guò)阻值很小的電阻時(shí)在電阻兩端產(chǎn)生電壓的原理制成。 在實(shí)際應(yīng)用中，要測(cè)量一個(gè)很大的電流值，沒(méi)有大量程的電流表測(cè)量其電流，分流器就可以產(chǎn)生作用了。分流器兩端產(chǎn)生毫伏級(jí)直流電壓信號(hào)，使并接在該分流器兩端的計(jì)量表顯示電壓值，分流器的電阻時(shí)定值，通過(guò)計(jì)算得到實(shí)際測(cè)量的

• MJL4302A測(cè)試記錄

  MJL4302A測(cè)試記錄 測(cè)試目的：測(cè)試MJL4302A的合格率 測(cè)試項(xiàng)目： 1.測(cè)試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 2.測(cè)試正向飽和壓降 測(cè)試工具： 20KV高精度測(cè)試**穩(wěn)壓可調(diào)電源、三極管MJL4302A、DF-80A 測(cè)試具體方法： 1.測(cè)試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 用20KV高精度測(cè)試**穩(wěn)壓可調(diào)電源的高壓輸出端測(cè)試三極管MJL4302A的Vceo，具體連線圖如下（下文的20K

• 肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測(cè)試記錄

  肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測(cè)試記錄 測(cè)試器件 MUR3040PT(ON) 測(cè)試項(xiàng)目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 測(cè)試方法 1.測(cè)試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測(cè)試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管，測(cè)試二極管的反向擊穿電壓。測(cè)試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示，紅線所示連接1，黑線連接二極管2，撥動(dòng)一下20KV穩(wěn)壓電源的測(cè)試按鈕，即可在顯示屏上顯示二極管的反向電