STANSON 原廠STC4614中文資料PDF 數據規格書

時間：2020-04-09

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

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STN4828 N60V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828
STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強型功率場效應晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應用，筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路，高側開關特征60V
stasnon 原廠STC4606規格參數NP30V 6.5A大量現貨
STANSONSTC4606可替代型號：STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790STC4606產品介紹：stc4606是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡
MOS管STN2610 參數 N60V 50A 應用于電子測量儀器原廠庫存足交貨快
STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術，提供優良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25
MOS管失效原因是什么？
MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。目前在市場應用方面，排名**的是消費類電子電源適配器產