SOI CMOS結(jié)構(gòu)和工藝

時(shí)間：2022-12-06作者：深圳海木芯科技有限公司瀏覽：249

深圳海木芯科技有限公司專(zhuān)注于IMX385,IMX290,IMX990,IMX991,IMX335,IMX253,lMX183,lMX264,AABJ-C,AABA-C等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系

  1 MEMS 比 CMOS 的復(fù)雜之處MEMS 與 CMOS的根本區(qū)別在于：MEMS 是帶活動(dòng)部件的三維器件，CMOS 是二維器件。因此，雖然許多刻蝕和沉積工藝相似，但某些工藝是 MEMS *有的，例如失效機(jī)理。舉個(gè)例子，由于 CMOS 器件沒(méi)有活動(dòng)部件，因此不需要釋放工藝。正因?yàn)槿绱耍?dāng)活動(dòng)部件“粘”在表面上，導(dǎo)致設(shè)備故障時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生靜摩擦，CMOS 沒(méi)有這種問(wèn)題。CMOS 器件是在硅材料上逐層

• 漲價(jià)缺貨的野火，如今已擴(kuò)散到CMOS晶片

  電子業(yè)系統(tǒng)廠缺貨缺怕了！從被動(dòng)元件、硅晶圓、MOSFET等產(chǎn)能大缺，現(xiàn)在大家看到影子就開(kāi)，就怕?lián)尣坏截浀⒄`出貨，*大廠蘋(píng)果、華為等，在關(guān)鍵元件**等仍有相對(duì)優(yōu)勢(shì)，二線品牌則必須以較高價(jià)搶貨，使得價(jià)格愈漲愈高。漲價(jià)缺貨如今已擴(kuò)散到CMOS晶片CMOS晶片也將成為繼被動(dòng)元件、金氧半場(chǎng)效電晶體（MOSFET）等之后，又一鬧缺貨的關(guān)鍵電子元件。據(jù)閩臺(tái)媒體報(bào)道，漲價(jià)缺貨的野火如今已擴(kuò)散到CMOS圖像感測(cè)元

• SOI CMOS結(jié)構(gòu)和工藝

  常規(guī)的CMOS結(jié)構(gòu)中，電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結(jié)構(gòu)。當(dāng)SCR被觸發(fā)時(shí)，電源到地之間存在低阻通道，引起較大電流，破壞電路工作甚至燒毀電路，這就是閂鎖效應(yīng) (Latch-up)。為避免閂鎖效應(yīng)，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術(shù)制作CMOS電路，即在藍(lán)寶石絕緣襯底上外延硅，之后制作器件，這就有效的避免MOS管的源、漏區(qū)和襯底之間形成PN結(jié)。但是，藍(lán)寶石價(jià)格昂

• CCD 與CMOS 圖像傳感器區(qū)別在哪里？

  1、 成像過(guò)程 CCD 與CMOS 圖像傳感器光電轉(zhuǎn)換的原理相同，他們較主要的差別在于信號(hào)的讀出過(guò)程不同；由于CCD僅有一個(gè)（或少數(shù)幾個(gè)）輸出節(jié)點(diǎn)統(tǒng)一讀出，其信號(hào)輸出的一致性非常好；而CMOS 芯片中，每個(gè)像素都有各自的信號(hào)放大器，各自進(jìn)行電荷-電壓的轉(zhuǎn)換，其信號(hào)輸出的一致性較差。但是CCD 為了讀出整幅圖像信號(hào)，要求輸出放大器的信號(hào)帶寬較寬，而在CMOS 芯片中，每個(gè)像元中的放大器的帶寬要求較低