CCD 與CMOS 圖像傳感器區(qū)別在哪里？

時(shí)間：2022-12-07作者：深圳海木芯科技有限公司瀏覽：135

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• SOI CMOS結(jié)構(gòu)和工藝

  常規(guī)的CMOS結(jié)構(gòu)中，電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結(jié)構(gòu)。當(dāng)SCR被觸發(fā)時(shí)，電源到地之間存在低阻通道，引起較大電流，破壞電路工作甚至燒毀電路，這就是閂鎖效應(yīng) (Latch-up)。為避免閂鎖效應(yīng)，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術(shù)制作CMOS電路，即在藍(lán)寶石絕緣襯底上外延硅，之后制作器件，這就有效的避免MOS管的源、漏區(qū)和襯底之間形成PN結(jié)。但是，藍(lán)寶石價(jià)格昂

• MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系

  1 MEMS 比 CMOS 的復(fù)雜之處MEMS 與 CMOS的根本區(qū)別在于：MEMS 是帶活動(dòng)部件的三維器件，CMOS 是二維器件。因此，雖然許多刻蝕和沉積工藝相似，但某些工藝是 MEMS *有的，例如失效機(jī)理。舉個(gè)例子，由于 CMOS 器件沒(méi)有活動(dòng)部件，因此不需要釋放工藝。正因?yàn)槿绱耍?dāng)活動(dòng)部件“粘”在表面上，導(dǎo)致設(shè)備故障時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生靜摩擦，CMOS 沒(méi)有這種問(wèn)題。CMOS 器件是在硅材料上逐層

• 主板cmos電路分析哪些方面，CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)作用是什么？

  CMOS電路是互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫(xiě)，它由絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成，由于只有一種載流子，因而是一種單較型晶體管集成電路，其基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)N溝道MOS管和一個(gè)P溝道MOS管，如下圖所示。CMOS電路基本結(jié)構(gòu)示意圖cmos電路工作原理cmos電路分析工作原理如下：由于兩管柵較工作電壓極性相反，故將兩管柵較相

• CMOS密碼忘了怎么辦？

  用通過(guò)設(shè)置CMOS密碼的確可以達(dá)到保護(hù)計(jì)算機(jī)的目的。但是如果用戶忘記了已設(shè)置的CMOS密碼，那么對(duì)于用戶而言同樣會(huì)面對(duì)無(wú)法進(jìn)入系統(tǒng)或無(wú)法進(jìn)入 BIOS設(shè)置程序的境地，這時(shí)該怎么辦呢，這里向大家介紹幾種常用的pojieCMOS密碼的方式：DE漏洞法、COPY法、CMOS放電法、跳線短接法以及概念硬件配置法.一、DE漏洞法CMOS數(shù)據(jù)的訪問(wèn)是通過(guò)兩個(gè)I/O端口來(lái)實(shí)現(xiàn)的.端口70H是一個(gè)節(jié)的地址端口，用