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方案CR3215A中的內置650V高雪崩能力功率MOS是一種高性能的電子元件,具有以下特點:* 650V高電壓,可以承受較高的電壓,因此具有較高的功率輸出能力。* 內置高雪崩能力,可以承受較高的電流,并且在發生雪崩時不會損壞,提高了電路的穩定性和可靠性。* 內置MOS的開關速度非常快,可以實現高效率的轉換,減少了能量損失,因此是一種理想的功率半導體器件。該MOS還具有體積小、耐高溫、可靠性高等優點
CR6245是一個高性能的充電器方案芯片,可以用于原邊反饋控制,將5V/1A充電器的功率降低到5W以內。它支持多種充電協議,如QC3.0,PD等,具有優秀的功率調節性能,以及精確的溫度控制能力。為了實現高效傳輸,需要使用高磁導率的電感,如漆包線或磁芯電感器。電感的大小取決于充電器的輸出功率和電流大小,通常需要經過計算和測試來確定。為了確保充電器的安全性和可靠性,需要設置過流保護、過壓保護、過溫保護
ZigBee模塊降壓芯片,bluetooth藍牙連接器模塊降壓芯片,OC58658
OC58658是一款適用于ZigBee模塊和Bluetooth藍牙連接器模塊的降壓芯片。它具備多項優異特性,能夠確保模塊的穩定運行和高效性能。 首先,OC58658具有低待機功耗的特性,這有助于延長模塊的使用壽命,特別是在低功耗應用中。同時,其高效率特性確保了能量的有效利用,減少了能量浪費。 其次,OC58658的低紋波特性確保了輸出電壓的穩定性,從而提高了模塊的工作性能。此外,它還具有優異的母線
氮化鎵(GaN)是一種新型半導體材料,它具有高電子遷移率、高擊穿電場和低導通電阻等出色的物理特性。這些特性使得氮化鎵在制造高效能、高功率密度的電子器件方面有著巨大的潛力。 那么,當氮化鎵應用于快充技術時,它就可以幫助實現較高的充電功率和較快的充電速度。與傳統的硅基充電器相比,氮化鎵充電器能夠在相同體積和重量下提供較高的充電功率,同時還具有較高的能量轉換效率和較低的發熱量。 至于90W氮化鎵快充,它
公司名: 久宇盛電子(深圳)有限公司
聯系人: 周敏
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手 機: 13318386410
微 信: 13318386410
地 址: 廣東佛山南海區深圳市龍崗區南灣街道寶丹路18號彩鳳工業園A棟5樓之一
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