戶外亮化方案OC5228B,支持PWM/模擬/分段調光,可替代VSA1261A

時間：2024-07-01

作者：久宇盛電子（深圳）有限公司

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詞條說明
小家電方案CR3215A，內置650V高雪崩能力功率MOS
方案CR3215A中的內置650V高雪崩能力功率MOS是一種高性能的電子元件，具有以下特點：* 650V高電壓，可以承受較高的電壓，因此具有較高的功率輸出能力。* 內置高雪崩能力，可以承受較高的電流，并且在發生雪崩時不會損壞，提高了電路的穩定性和可靠性。* 內置MOS的開關速度非常快，可以實現高效率的轉換，減少了能量損失，因此是一種理想的功率半導體器件。該MOS還具有體積小、耐高溫、可靠性高等優點
CR6245_5V1A原邊反饋控制芯片-5W充電器方案
CR6245是一個高性能的充電器方案芯片，可以用于原邊反饋控制，將5V/1A充電器的功率降低到5W以內。它支持多種充電協議，如QC3.0，PD等，具有優秀的功率調節性能，以及精確的溫度控制能力。為了實現高效傳輸，需要使用高磁導率的電感，如漆包線或磁芯電感器。電感的大小取決于充電器的輸出功率和電流大小，通常需要經過計算和測試來確定。為了確保充電器的安全性和可靠性，需要設置過流保護、過壓保護、過溫保護
ZigBee模塊降壓芯片，bluetooth藍牙連接器模塊降壓芯片，OC58658
OC58658是一款適用于ZigBee模塊和Bluetooth藍牙連接器模塊的降壓芯片。它具備多項優異特性，能夠確保模塊的穩定運行和高效性能。首先，OC58658具有低待機功耗的特性，這有助于延長模塊的使用壽命，特別是在低功耗應用中。同時，其高效率特性確保了能量的有效利用，減少了能量浪費。其次，OC58658的低紋波特性確保了輸出電壓的穩定性，從而提高了模塊的工作性能。此外，它還具有優異的母線
90w氮化鎵，氮化鎵快充-久宇盛電子
氮化鎵（GaN）是一種新型半導體材料，它具有高電子遷移率、高擊穿電場和低導通電阻等出色的物理特性。這些特性使得氮化鎵在制造高效能、高功率密度的電子器件方面有著巨大的潛力。那么，當氮化鎵應用于快充技術時，它就可以幫助實現較高的充電功率和較快的充電速度。與傳統的硅基充電器相比，氮化鎵充電器能夠在相同體積和重量下提供較高的充電功率，同時還具有較高的能量轉換效率和較低的發熱量。至于90W氮化鎵快充，它