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英飛凌IGBT模塊系列簡介HybridPACK/DSC系列:這個應該是可用于雙面水冷方案的獨立封裝成型的單個IGBT模塊,也可用于普通的pinfin或者獨立冷卻水道的冷卻方案,電壓范圍Vces最大達到750V,屬于市場主流的電壓級別,但是電流能力略低,不過可以采用多模塊并聯的方案來提升總體性能;HybridPack/1&DC6系列:基于UVW三相全橋的整體式封裝方案,E3的芯片屬于老一代的
IXYS可控硅模塊的選擇需要考慮多個因素,包括模塊的電壓、電流容量、觸發電流和工作溫度等。以下是對IXYS可控硅模塊選擇的一些基本步驟和注意事項的簡要概述:1. **確定應用需求**:首先,你需要明確你的應用場景需要什么樣的電壓和電流。IXYS可控硅模塊的電壓范圍從5V到400V不等,電流范圍從幾毫安到幾百安培。確保你的模塊能夠滿足你的實際需求。2. **考慮負載特性**:可控硅模塊的負載特性對其
# IGBT模塊:電力電子領域的核心組件IGBT模塊作為現代電力電子系統的關鍵部件,其性能直接決定了整個系統的效率和可靠性。這種功率半導體器件結合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的大電流處理能力,在工業變頻器、電動汽車、可再生能源系統等領域發揮著不可替代的作用。## 高溫運行與熱管理IGBT模塊最顯著的特點之一是其高溫運行能力。優質模塊能夠在175℃甚至更高的結溫下穩定工作,這對于功率密度
一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源極(即發射極E)。N基極稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(包括P+和P-區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannel region)。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區(Drain injector),它是IGBT特有的功能區
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
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