麗水可控硅模塊型號(hào)

時(shí)間：2025-05-14作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：42

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【進(jìn)口吸收電容】吸收電容特點(diǎn)

  無(wú)感吸收電容是指刻意采取了降低感抗措施的電熔類(lèi)器件。采用電極板的特殊繞法，表現(xiàn)出的電感很小，適合在高頻電路使用。用途：主要用于UPS、變頻器、電鍍電源、逆變焊機(jī)、逆變電源以及感應(yīng)加熱設(shè)備等其他電力電子設(shè)備，IGBT吸收高頻尖峰電壓、電流用。無(wú)感吸收電熔 其實(shí)是無(wú)感吸收電熔的一個(gè)統(tǒng)稱(chēng)吸收電容在電路中起的作用類(lèi)似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），消除由于母排的

• 快速熔斷器和普通的熔斷器的區(qū)別有哪些？

  熔斷器有很多差異的種類(lèi)，快速熔斷器是這其中一種較為常見(jiàn)的。說(shuō)白了，從快速熔斷器的名稱(chēng)大家就可以發(fā)覺(jué)它相比于其它的熔斷器而言很有可能速率會(huì)迅速，因此被稱(chēng)作快速熔斷器。快速熔斷器為何現(xiàn)如今運(yùn)用范疇那么普遍，而且專(zhuān)業(yè)性遭受眾多行內(nèi)人士的認(rèn)可呢？快速熔斷器和一般的熔斷器有什么不同？第一：【容積更小，額定容量更高】，針對(duì)一些高新技術(shù)規(guī)定的人而言，很有可能快速熔斷器會(huì)更為合適。第二：【在實(shí)際的應(yīng)用過(guò)程中，針對(duì)

• 可控硅壞的原因及維護(hù)方法

  可控硅壞的原因：1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有

• 二極管模塊的使用指南

  二極管模塊（m.qiwodz.b2b168.com）匯流箱的組成????大規(guī)模光伏電站中常見(jiàn)的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品有6、8、10、12?、16?回路等規(guī)格的光伏防雷匯流箱。?它可根據(jù)客戶(hù)需要進(jìn)行定制，回路數(shù)不限，靈活配置，一般由以下幾部分組成。2箱?體????箱體一般采用鋼板噴塑、不銹鋼、工