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德國西門康可控硅你了解多少可控硅又稱晶閘管。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了電子元器件中**的一員,而目前交流調壓多采用雙向可控硅,它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優點,對提高生產效率和降低成本等都有顯著效果,但它也具有過載和抗干擾能力差,且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點,下面我們來談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。一、 靈敏度雙向可控硅是一個三端元件,但我們不
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
英國西碼WESTCODE可控硅模塊PP601-13 量大從優全新中頻爐晶閘管
品牌WESTCODE規格型號PP601-13編號PP601-13計量單位1個付款方式面議參考價格50價格單位人民幣供貨量不限說明書,報價手冊及驅動暫無其他資料暫無相關產地英國發貨地昆山產品詳情英國西碼WESTCODE可控硅模塊PP601-13? 量大從優全新中頻爐晶閘管銷售部分型號:PP601-226PP601-222PP601-220PP601-218PP601-212PP601-20
IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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