晶閘管的種類、特點及用途

時間：2022-02-27

作者：上海秦邦電子科技有限公司

15995613456

詞條
詞條說明
熔斷器保險絲你了解嗎
熔斷器保險絲你了解嗎熔斷器又稱為保險絲，是用于保護電路的安全設備。它們安裝于各種供電設和負載之間，電流過高時便會觸發熔斷器工作(俗稱“燒斷”)，把負載從電源中斷開，減低過流造成設備損壞甚至引起火災的風險。燒斷了的保險絲必須棄置并替換，這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復位的。不過保險絲價格便宜，而且容易替換。新的保險絲應該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險絲提供的安全機制使得它們成
【德國西門康可控硅】可控硅特性
可控硅特性常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路，等等。可控硅的主要參數有：1、額定通態平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF 在控制較開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未**過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能**
單向可控硅模塊里的二極管是起什么作用?
1、防止反向電動勢沖擊單向可控硅模塊，導致損壞。2、可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled rectifier, SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個
【英飛凌IGBT模塊】IGBT結構
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源較（即**較E）。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵較（即門較G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有