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IGBT工作特性靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區,則正反
進口晶閘管供應? 常見晶閘管特點用途介紹1、單結晶體管單結晶體管(UJT)也稱雙基較二極管。從結構功能上類似晶閘管,它是由1個PN結和兩只內電阻構成的三端半導體器件,有一個PN結和2個基較,具有電路簡單、熱穩定性好等優點。廣泛應用于振蕩、定時、雙穩電路及晶閘管觸發等電路。2、單向晶閘管單向晶閘管(SCR)是由PNPN4層3個PN結組成的,它被廣泛用于可控整流、交流調壓、逆變器和開關電源電
工欲善其事,必先利其器 -- 新版SemiSel V5 功率半導體選型工具
效率較高、設計較緊湊、功率密度較高,同時確保盡快上市、滿足目標成本?……以上列舉的要求不過是電力電子開發人員所面臨的眾多挑戰的一部分。開發人員需要在變化多樣的產品市場中選擇合適的器件,SemiSel應運而生。這一款高效的選型工具可以幫助產品開發人員在選型時做出正確的選擇。SemiSel迄今仍是同類工具中較全面的免費工具,可以用于研究不同運行條件下的各種電力電子電路。在用戶友好性、功能復雜
可控硅簡介可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中,可作為大功率驅動器件,實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于
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